孙嘉睿优秀作者
原创内容 来源:小居数码网 时间:2024-05-23 09:27:01 阅读() 收藏:23 分享:49 爆
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今天小编给您带来的是2018固态硬盘什么牌子好?可能很多人都不明白,下面给大家介绍一下吧。
2018 U盘量产网推荐的固态硬盘的十大牌子排行:
1、三星固态硬盘
2、浦科特固态硬盘
3、闪迪固态硬盘
4、东芝固态硬盘(OCZ)
5、英睿达固态硬盘
6、建兴固态硬盘
7、创见固态硬盘
8、金士顿固态硬盘
9、西部数据固态硬盘
10、联想固态硬盘
英睿达就是以前的镁光改名了、还有英特尔固态硬盘,为什么排名里没有英特尔牌子呢,因为特别贵,性能还一般,完全不适合家庭使用,可能也只有企业会用了吧,所以不推荐了。
以下这些牌子的固态硬盘质量都很好,是固态硬盘的十大品牌:1.三星固态硬盘(十大固态硬盘品牌,三星);2.英特尔固态硬盘(十大固态硬盘品牌,英特尔);3.WD固态硬盘(十大固态硬盘品牌,WD);4.Sandisk固态硬盘(十大固态硬盘品牌,Sandisk);5.Intel固态硬盘(十大固态硬盘品牌,Intel);6.东芝固态硬盘(十大固态硬盘品牌,东芝);7.威刚固态硬盘(十大固态硬盘品牌,威刚);8.浦科特固态硬盘(十大固态硬盘品牌,浦科特);9.CRUCIAL固态硬盘(十大固态硬盘品牌,CRUCIAL);10.美商海盗船固态硬盘(十大固态硬盘品牌,美商海盗船)。
机械硬盘这么好,为什么要用固态硬盘呢?问得出这种问题的大半是没用过固态硬盘的,其实只要你稍微体验过固态硬盘一段时间后再换会去用机械硬盘你绝对接受不了那种卡顿感,固态硬盘带来的好处绝对不止开机快一点那么简单,加了固态盘之后你的电脑流畅度会明显提升几个档次,软件和游戏的载入速度都会明显缩短,时间就是生产力啊。
为啥机械硬盘和固态硬盘性能上差那么远呢?这还得从他们的结构说起,机械硬盘是由马达、磁盘、磁头、主控、缓存等部件所组成的,工作时马达会以5400或7200 RPM甚至更高的转速带动碟片转动,而磁头则会悬浮在贴近碟片上,寻道时磁头就会从初始位置移动到指定磁道,机械硬盘的寻道过程是就是一个机械操作,所以即使碟片和磁头的速度再快中间也会有一段很明显的延时。
而固态硬盘根本就不存在这个问题,因为固态硬盘就是由主控、缓存和闪存所组成,数据读取和寻道都是通过电信号完成的,纯电信号的延迟超低,性能也比机械硬盘好几倍,特别是小文件的随机读写上面,机械硬盘读写大量小文件时速度超慢,固态硬盘在这方面明显快得多,你们对比下随机读取延时就知道了,7200RPM的机械硬盘随机读延时是7ms,5400R
要了解固态硬盘的寿命计算的原理,就有必要提一下固态硬盘中的存储介质NAND闪存,因为固态硬盘的寿命很大程度上取决于NAND闪存的寿命。NAND闪存的结构如下图,NAND闪存本质上是一个特殊的MOS晶体管,只是比一般的MOS晶体管多了个栅极,叫做浮栅,用来存储电荷。
当我们对固态硬盘进行写入数据时,也就是对NAND闪存进行写入(Program)操作,实现写入的原理就是利用量子力学的隧穿效应,让电荷通过隧道穿越绝缘氧化层,最终进入浮栅。
当我们对固态硬盘进行擦除数据时,也就是对NAND闪存进行擦除(Erase)操作,实现擦除的原理就是同样是利用量子力学的隧穿效应,让存储在浮栅的电荷通过隧道穿越绝缘氧化层进入到沟道之中。
上面介绍的写入(Program)和擦除(Erase)过程,都提到电荷要穿越绝缘氧化层。如果进行大量写入和擦除操作,就会对绝缘氧化层造成不可逆的伤害。随着P/E cycle(写入/擦除循环次数)的不断增加,绝缘氧化层的厚度就会越来越薄,出现越来越多的缺陷。这些绝缘氧化层的缺陷,会导致存储在浮栅中的电荷逃逸,结果就是我们存储的数据丢失。可怕吗?实在是太可怕了,对于
下面给大家推荐几款比较好的ssd型号
参考某网的固态硬盘排行榜和某购物平台,固态硬盘的销量排行榜,无论是热门度还是销量,排在第一的都是三星。
1、 三星860 EVO 120G
推荐理由:一线品牌,99%好评
在固态硬盘市场中,三星属于一线品牌,产品价格相比偏二线品牌,价位自然要贵一些。
规格方面,三星860 EVO 固态硬盘采用主流的2.5英寸设计,配备主流SATA3.0接口,容量有120G和250GB等,采用了NAND 闪存,基于三星MGX 控制器原厂主控,具备卓越性能,持久耐用等特点。性能方面,三星860 EVO 连续读取最大540MB/秒,连续写入最大520MB/秒,性能表现主流。作为一线实力SSD厂商,三星860 EVO 具备原厂主控、NAND闪存等特性,具备卓越性能,持久耐用,高效安全等特点,同样提供三年质保,一线品牌,产品质量与售后更有保障。
2、 浦科特 M7VC/M8VC
推荐理由:三年质保,98%好评
浦科特M7VC采用Marvell 88ss1074B1主控芯片搭配东芝全新15nm颗粒,持续读取速度最高560MB/s,写入速度根
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